CS48N75
1个N沟道 耐压:70V 电流:68A
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- 品牌名称
- CASS(凯思)
- 商品型号
- CS48N75
- 商品编号
- C910086
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.91克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V,40A | |
| 功率(Pd) | 88W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.86nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 265pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗、提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率。因此,SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰(EMI)问题,使设计实施更加轻松。
商品特性
- 700 V @ T_J = 150°C
- 典型RDS(on) = 159 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Q_g = 33 nC)
- 低有效输出电容(典型C_oss(eff.) = 300 pF)
- 100%雪崩测试
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 计算机/显示器电源-电信/服务器电源-工业电源-照明/充电器/适配器
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