温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
-30V / -9A 双2P功率MOSFET 在VGS = 4.5V时导通电阻RDS(on)极低 无铅引脚镀层;符合RoHS标准 100%进行UIS测试和IUU% Kg测试
商品特性
- 在VGS = 4.5V时导通电阻RDS(on)极低
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 100%进行UIS测试和IUU% Kg测试
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换