NCP1124AP65G

NCP112x系列将高性能电流模式控制器与650 V MOSFET集成在一起，极大地简化了紧凑可靠的开关模式电源（SMPS）的设计。在低元件数量和高成本效益是关键参数的应用中，该组件是理想之选。NCP112x具备当今现代电源设计所需的大部分必要功能，并进行了多项改进，如VCC过压保护（OVP）、可调斜率补偿、频率抖动、频率折返、跳周期等。

• 对于NCP1124，内置650 V、1 A的MOSFET，RDS(on)为8.6 Ω
• 对于NCP1126，内置650 V、1.8 A的MOSFET，RDS(on)为5.4 Ω
• 对于NCP1129，内置650 V、5.5 A的MOSFET，RDS(on)为2.1 Ω
• 固定频率65或100 kHz电流模式控制，具备可调内部斜坡补偿
• 可通过外部电阻调节电流限制
• 频率折返至26 kHz，具备跳周期功能以提高轻载效率
• 采用频率抖动技术改善电磁干扰（EMI）
• 在高压输入时，待机功耗低于100 mW
• 符合EPS 2.0标准
• 7引脚封装提供爬电距离
• 这些器件为无铅产品