NCP1124AP100G
NCP1124AP100G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCP1124AP100G
- 商品编号
- C905219
- 商品封装
- PDIP-7
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | AC-DC控制器和稳压器 | |
| 是否隔离 | 隔离 | |
| 工作电压 | - | |
| 开关频率 | 92kHz~108kHz | |
| 输出电流 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 最大占空比 | 80% |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 晶体管耐压 | 650V | |
| 拓扑结构 | 反激式 | |
| 特性 | 欠压保护(UVP);过热保护(OTP);短路保护(SCP);过压保护(OVP);过流保护(OCP);软启动 | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 工作模式 | - | |
| 输出电压 | - | |
| 反馈方式 | 副边反馈 |
商品概述
NCP112x系列将高性能电流模式控制器与650 V MOSFET集成在一起,极大地简化了紧凑可靠的开关模式电源(SMPS)的设计。在低元件数量和高成本效益是关键参数的应用中,该组件是理想之选。NCP112x具备当今现代电源设计所需的大部分必要功能,并进行了多项改进,如VCC过压保护(OVP)、可调斜率补偿、频率抖动、频率折返、跳周期等。
商品特性
- 对于NCP1124,内置650 V、1 A的MOSFET,RDS(on)为8.6 Ω
- 对于NCP1126,内置650 V、1.8 A的MOSFET,RDS(on)为5.4 Ω
- 对于NCP1129,内置650 V、5.5 A的MOSFET,RDS(on)为2.1 Ω
- 固定频率65或100 kHz电流模式控制,具备可调内部斜坡补偿
- 可通过外部电阻调节电流限制
- 频率折返至26 kHz,具备跳周期功能以提高轻载效率
- 采用频率抖动技术改善电磁干扰(EMI)
- 在高压输入时,待机功耗低于100 mW
- 符合EPS 2.0标准
- 7引脚封装提供爬电距离
- 这些器件为无铅产品
