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NLV14011BDR2G实物图
  • NLV14011BDR2G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NLV14011BDR2G

NLV14011BDR2G

描述
B 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件,在一个单片结构中构建的(互补 MOS)。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NLV14011BDR2G
商品编号
C904756
商品封装
SOIC-14​
包装方式
编带
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录逻辑门
逻辑类型与非门
通道数4
工作电压3V~18V
静态电流(Iq)1uA
灌电流(IOL)8.8mA
属性参数值
拉电流(IOH)8.8mA
输入高电平(VIH)3.5V~11V
输入低电平(VIL)1.5V~4V
系列4000B系列
传播延迟(tpd)80ns@15V,50pF
工作温度-55℃~+125℃

数据手册PDF