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4N33TVM
DC输入 隔离电压(rms):4170V
- 描述
- 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 4N33TVM
- 商品编号
- C898963
- 商品封装
- DIP-6
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | - | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 输出电流 | 150mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 4.17kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 3V | |
| 负载电压 | 30V | |
| 输出通道数 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V@8mA,2mA | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 500% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 500% | |
| 总功耗(Pd) | 270mW | |
| 正向电流(If) | 80mA |
商品概述
4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113M采用砷化镓红外发射器，与硅平面光电达林顿管进行光耦合。
商品特性
- 对低输入驱动电流具有高灵敏度
- 符合或超过所有JEDEC注册规范
- 安全与法规认证：
- UL1577，4170 VACRMS耐压1分钟
- DIN−EN/IEC60747−5−5，850 V峰值工作绝缘电压
应用领域
- 低功耗逻辑电路
- 电信设备
- 便携式电子设备
- 固态继电器
- 不同电位和阻抗的接口耦合系统
交货周期
订货49-51个工作日购买数量
(1000个/袋，最小起订量 4000 个)个
起订量：4000 个1000个/袋
总价金额：
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