NSBC114TF3T5G
NSBC114TF3T5G
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSBC114TF3T5G
- 商品编号
- C896372
- 商品封装
- SOT-1123
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 297mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 160 | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管；一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了它们。使用 BRT 可以降低系统成本并节省电路板空间。
商品特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用，采用 S 前缀；符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合 RoHS 标准
相似推荐
其他推荐
- NSBC114YDP6T5G
- NSBC114YDXV6T5G
- NSBC114YPDXV6T5G
- NSBC115TDP6T5G
- NSBC115TF3T5G
- NSBC115TPDP6T5G
- NSBC123JDP6T5G
- NSBC123JDXV6T5G
- NSBC123JF3T5G
- NSBC123JPDP6T5G
- NSBC123JPDXV6T5G
- NSBC123TDP6T5G
- NSBC123TF3T5G
- NSBC123TPDP6T5G
- NSBC124EDP6T5G
- NSBC124EDXV6T5G
- NSBC124EF3T5G
- NSBC124EPDP6T5G
- NSBC124EPDXV6T5G
- NSBC143EDP6T5G
- NSBC143EF3T5G