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FIR4N65BPG

1个N沟道耐压:650V 电流:4A

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描述: 4N65，4A，650V高性价比MOS
品牌名称: FIRST(福斯特)
商品型号: FIR4N65BPG
商品编号: C94683
商品封装: TO-251(IPAK)
包装方式: 管装
商品毛重: 0.678克(g)

商品参数

商品概述

FIR4N65BP 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用士兰微专有的 F-Cell™ 结构 VDMOS 技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC-DC 电源、DC-DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器。

商品特性

4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.3Ω@VGS=10V
低栅极电荷
低 Crss
快速开关
改善的 dv/dt 能力

应用领域

AC-DC 电源-DC-DC 转换器-H 桥 PWM 电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	4A
	导通电阻(RDS(on))	2.3Ω@10V
	耗散功率(Pd)	77W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	11.94nC@10V
	输入电容(Ciss)	514.67pF
	反向传输电容(Crss)	2.46pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	55.83pF