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FIR12N65FG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FIR12N65FG

1个N沟道 耐压:650V 电流:12A

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品牌名称
FIRST(福斯特)
商品型号
FIR12N65FG
商品编号
C94681
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.76克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)12A
属性参数值
导通电阻(RDS(on))800mΩ@10V,6A
耗散功率(Pd)51W
阈值电压(Vgs(th))4V

商品特性

  • 高电压:漏源击穿电压(BVDSS) = 650V(最小值)
  • 低反向传输电容:反向传输电容(Crss) = 14.6pF(典型值)
  • 低栅极电荷:栅极电荷(Qg) = 41nC(典型值)
  • 低导通电阻:导通电阻(RDS(on)) = 0.65Ω(最大值)

数据手册PDF