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FODM1008R4V实物图
  • FODM1008R4V商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FODM1008R4V

DC 5kV

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描述
单通道、直流感应输入光耦合器由一个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管与一个光电晶体管光耦合而成,采用拉伸体 SOP 4 引脚封装。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 5000 VACRMS。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FODM1008R4V
商品编号
C891169
商品封装
SOP-4-2.54mm​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录晶体管输出光耦
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.4V
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)5kV
直流反向耐压(Vr)6V
负载电压70V
输出通道数1
属性参数值
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@10mA,1mA
上升时间(tr)5.7us
下降时间8.5us
工作温度-40℃~+110℃
电流传输比(CTR)最小值130%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值260%
正向电流(If)50mA
功能特性-

商品概述

FODM100x系列单通道直流感应输入光耦合器由一个砷化镓(GaAs)红外发光二极管和一个光电晶体管光耦合组成,采用拉长型SOP 4引脚封装。输入输出隔离电压VISO额定值为5000 VAC RMS。

商品特性

  • 爬电距离和电气间隙距离≥8 mm,绝缘距离≥0.4 mm,以实现可靠的高压绝缘
  • 具备安全和法规认证
  • UL1577认证,可承受5000 VAC RMS电压1分钟;符合DIN_EN/IEC60747 - 5 - 5标准,峰值工作电压890 V
  • 集电极 - 发射极击穿电压高,最小BVCEO = 70 V
  • 工业温度范围扩展至 - 40至110°C
  • 在IF = 5 mA、VCE = 5 V、TA = 25°C条件下的电流传输比:FODM1007为80%至160%;FODM1008为130%至260%;FODM1009为200%至400%
  • 这些器件为无铅器件

应用领域

  • 主要适用于DC - DC转换器
  • 用于接地环路隔离、信号与噪声隔离,如通信适配器、充电器
  • 消费类产品,如家电、机顶盒
  • 工业应用,如电源、电机控制、可编程逻辑控制

数据手册PDF