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IRFR13N15DTR-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:25.4A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFR13N15DTR-VB
- 商品编号
- C878998
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.391克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@10V,25.4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 极低的 Qqd ,可降低开关损耗
- 100%进行 Rg 测试
- 100%进行雪崩测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-初级侧开关