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P1504HV-VB
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于中功率电子设备的功率开关和控制模块。SOP8；2个N—Channel沟道,40V；12A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- P1504HV-VB
- 商品编号
- C878994
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 641pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF@15V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 笔记本电脑系统电源
- 低电流DC/DC转换器