温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

STD12NF06LT4

1个N沟道耐压:60V 电流:12A

描述: 采用 DPAK 封装的 N 沟道 60 V、70 mOhm（典型值）、12 A、StripFET II 功率 MOSFET
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: STD12NF06LT4
商品编号: C92516
商品封装: TO-252-2(DPAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.46克(g)

商品参数

制造商: STMicroelectronics
安装风格: SMD/SMT
封装: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: ±16 V
最大工作温度: + 175 ℃

最小工作温度: - 55 ℃

Pd-功率耗散: 30 W 输出特性

数据手册PDF

放大查看下载PDF

交货周期

订货5-7个工作日

购买数量

(2500个/圆盘，最小起订量 2500 个)

个

起订量：2500 个2500个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交0单

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	12A

	属性	参数值
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	2V