温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD12NF06LT4
1个N沟道 耐压:60V 电流:12A
- 描述
- 采用 DPAK 封装的 N 沟道 60 V、70 mOhm（典型值）、12 A、StripFET II 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD12NF06LT4
- 商品编号
- C92516
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
商品概述
这款功率MOSFET采用独特的“单一特征尺寸”条形工艺进行最新研发。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具备出色的制造再现性。
商品特性
- 卓越的dv/dt能力
- 低栅极电荷
应用领域
- 开关应用