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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PDN4911S

PDN4911S

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商品型号
PDN4911S
商品编号
C845134
商品封装
SOT-23-3S​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)-
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))-
属性参数值
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-

商品概述

这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • 40V、-2.9A,在VGS = -10V时,RDS(ON) = 68mΩ
  • 快速开关
  • 有环保器件可选
  • 适用于-4.5V栅极驱动应用

应用领域

  • 负载点(POL)应用
  • 负载开关
  • LED应用

数据手册PDF