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CRTD700P10L
P沟道 100V 26A
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- 描述
- 特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（品质因数）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CRTD700P10L
- 商品编号
- C841381
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4914克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 102W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.859nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 93pF |
商品概述
G08N03D2采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：30V
- 栅源电压（VGS）= 10V时的漏极电流（ID）：8A
- VGS = 10V时的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）< 20mΩ
- VGS = 5V时的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）< 30mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源开关-DC/DC转换器