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LBSS84LT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LBSS84LT1G

1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A

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描述
P沟道,-50V,-0.13A,10Ω@-5V
商品型号
LBSS84LT1G
商品编号
C8492
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)130mA
导通电阻(RDS(on))10Ω@5V
耗散功率(Pd)225mW
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6nC
输入电容(Ciss)30pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)10pF

商品概述

这些微型表面贴装MOSFET可降低功率损耗、节约能源,使其非常适合用于小型电源管理电路。

商品特性

  • 节能
  • 微型SOT - 23表面贴装封装节省电路板空间
  • 提供无铅封装
  • 产品材料无卤素且符合RoHS要求
  • S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 负载开关
  • 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、移动电话和无绳电话)的电源管理

数据手册PDF