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CSD18540Q5B
1个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- CSD18540Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18540Q5B
- 商品编号
- C86513
- 商品封装
- VSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.203克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 205A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.23nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 808pF |
商品概述
这款1.8 mΩ、60 V的NexFET功率MOSFET采用SON 5 mm × 6 mm封装，旨在最大限度降低电源转换应用中的损耗。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅端子电镀
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- SON 5 mm × 6 mm塑料封装
应用领域
- 直流-直流转换-次级侧同步整流器-隔离式转换器初级侧开关-电机控制
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