商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 205A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 808pF |
商品概述
这款1.8 mΩ、60 V的NexFET功率MOSFET采用SON 5 mm × 6 mm封装,旨在最大限度降低电源转换应用中的损耗。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅端子电镀
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- SON 5 mm × 6 mm塑料封装
应用领域
-直流-直流转换-次级侧同步整流器-隔离式转换器初级侧开关-电机控制
- ADS1240E/1K
- OPA4316IDR
- SMDRI74-180MT
- SGM4717YMS/TR
- XC6220B331MR-G
- MFR0W4F6203A50
- SWPA252012S1R5MT
- LTC485CS8#PBF
- ES1J-LTP
- CC430F5137IRGZR
- LM2940IMP-12/NOPB
- CD4077BM96
- VHG1S-05H-R
- DS1045-15AP1S1-A
- DS1034-01-09MBN044-JC
- DS1139-01-09SS4BSR
- DS1139-06-08SS4BSR
- DS1128-06-S8B0P-X
- DS1128-04-S8B8P-X
- DS1128-05-S8B8P
- DS1128-09-S8B8X