- 引脚图
- 焊盘图
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NP90N04VLK-E1-AY
NP90N04VLK-E1-AY
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP90N04VLK-E1-AY
- 商品编号
- C7604504
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 530pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
NP90N04VLK是专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 低输入电容:典型值Ciss = 3800 pF(VDS = 25 V)
- 逻辑电平驱动类型
- 专为汽车应用设计,符合AEC - Q101标准
应用领域
- 汽车领域