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SQS401EN-T1-GE3-VB
1个P沟道 耐压:40V 电流:45A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电源控制和开关应用。QFN8(3X3)；P—Channel沟道,-40V；-45A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQS401EN-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C7568742
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V；13mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻、高开关性能和卓越品质。这些器件非常适用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源的DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关电源 (SMPS)
- PWM电机控制
- DC-DC转换器