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FQPF8N80C-VB
1个N沟道 耐压:800V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种功率控制和开关电路。TO220F；N—Channel沟道,800V；5A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FQPF8N80C-VB商品编号
C7568741商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.3Ω@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V |
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