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TK13P25D,RQ(S
1个N沟道 耐压:250V
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.19Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 250V)。 增强模式：VTH = 1.5 至 3.5V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK13P25D,RQ(S
- 商品编号
- C7568713
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.648克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |
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