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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SSM6L36FE,LM

1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V

描述
特性：1.5V 驱动。 低导通电阻: -Q1 Nch: -Rₒₙ = 1.52Ω（最大值）(V_GS = 1.5V)。 -Rₒₙ = 1.14Ω（最大值）(V_GS = 1.8V)。应用：高速开关应用
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
SSM6L36FE,LM
商品编号
C7544186
商品封装
SOT-563​
包装方式
编带
商品毛重
0.021375克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)330mA；500mA
导通电阻(RDS(on))460mΩ@5V；950mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)150mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)1.23nC@4V；1.2nC@4V
输入电容(Ciss)46pF；43pF
反向传输电容(Crss)7.3pF；6.1pF
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)10.8pF；10.3pF

商品特性

  • 1.5V驱动
  • 低导通电阻
    • Q1 N沟道:Ron = 1.52 Ω(最大值)(@VGS = 1.5 V)
    • Q2 P沟道:Ron = 3.60 Ω(最大值)(@VGS = -1.5 V)
    • Ron = 1.14 Ω(最大值)(@VGS = 1.8 V)
    • Ron = 0.85 Ω(最大值)(@VGS = 2.5 V)
    • Ron = 0.66 Ω(最大值)(@VGS = 4.5 V)
    • Ron = 0.63 Ω(最大值)(@VGS = 5.0 V)
    • Ron = 2.70 Ω(最大值)(@VGS = -1.8 V)
    • Ron = 1.60 Ω(最大值)(@VGS = -2.8 V)
    • Ron = 1.31 Ω(最大值)(@VGS = -4.5 V)

应用领域

  • 便携式设备的负载/电源开关-驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器-电池供电系统-电源转换电路

数据手册PDF

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