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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.571nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 318pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
QM2538N3是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数电池MOSFET开关提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。QM2538N3符合RoHS标准和绿色产品要求。N沟道20V快速开关MOSFET
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 内置ESD保护
- 经人体模型(HBM)2KV / 机器模型(MM)200V验证
应用领域
- 电池MOSFET开关
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