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SSM6L61NU,LF
SSM6L61NU,LF
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻。 -Q1 N沟道: -RDS(ON) = 33 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。 -RDS(ON) = 45 mΩ (最大值) (@VGS = 2.5 V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6L61NU,LF
- 商品编号
- C7529281
- 商品封装
- UDFN6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128754克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V；44mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V；1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V；6.74nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF；410pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF；76pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF；90pF |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 35 个)个
起订量：35 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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