我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
SSM6L61NU,LF实物图
  • SSM6L61NU,LF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SSM6L61NU,LF

N沟道+P沟道 20V

描述
特性:低漏源导通电阻。 -Q1 N沟道: -RDS(ON) = 33 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。 -RDS(ON) = 45 mΩ (最大值) (@VGS = 2.5 V)。应用:电源管理开关
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
SSM6L61NU,LF
商品编号
C7529281
商品封装
UDFN6​
包装方式
编带
商品毛重
0.128754克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@4.5V;44mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V;1V
栅极电荷量(Qg)3.6nC@4.5V;6.74nC@4.5V
输入电容(Ciss)480pF;410pF
反向传输电容(Crss)40pF;76pF
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)85pF;90pF

商品特性

  • 低漏源导通电阻
  • Q1 N沟道:
    • RDS(ON) = 33 mΩ(最大值)(VGS = 4.5 V时)
    • RDS(ON) = 45 mΩ(最大值)(VGS = 2.5 V时)
    • RDS(ON) = 74 mΩ(最大值)(VGS = 1.8 V时)
    • RDS(ON) = 108 mΩ(最大值)(VGS = 1.5 V时)
  • Q2 P沟道:
    • RDS(ON) = 56 mΩ(最大值)(VGS = -4.5 V时)
    • RDS(ON) = 76 mΩ(最大值)(VGS = -2.5 V时)
    • RDS(ON) = 157 mΩ(最大值)(VGS = -1.8 V时)

应用领域

  • 电源管理开关
  • DC-DC转换器

数据手册PDF