SSM6L61NU,LF
N沟道+P沟道 20V
- 描述
- 特性:低漏源导通电阻。 -Q1 N沟道: -RDS(ON) = 33 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。 -RDS(ON) = 45 mΩ (最大值) (@VGS = 2.5 V)。应用:电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6L61NU,LF
- 商品编号
- C7529281
- 商品封装
- UDFN6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128754克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V;44mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V;1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V;6.74nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF;410pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF;76pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF;90pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻
- Q1 N沟道:
- RDS(ON) = 33 mΩ(最大值)(VGS = 4.5 V时)
- RDS(ON) = 45 mΩ(最大值)(VGS = 2.5 V时)
- RDS(ON) = 74 mΩ(最大值)(VGS = 1.8 V时)
- RDS(ON) = 108 mΩ(最大值)(VGS = 1.5 V时)
- Q2 P沟道:
- RDS(ON) = 56 mΩ(最大值)(VGS = -4.5 V时)
- RDS(ON) = 76 mΩ(最大值)(VGS = -2.5 V时)
- RDS(ON) = 157 mΩ(最大值)(VGS = -1.8 V时)
应用领域
- 电源管理开关
- DC-DC转换器
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- 1.0mm-15P LT
- 1.5mm-8P LT
- 1.5mm-9P LT
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- 1.25mm-13P LT
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