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PM3401B
耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 特性：VDS = -30V，ID = -4.2A。 RDS(ON) < 100mΩ @ VGS = -2.5V。 RDS(ON) < 74mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 59mΩ @ VGS = -10V。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- PM3401B
- 商品编号
- C7528268
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
CJX3134K-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品CJX3134K-ES为无铅产品。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30 V,漏极电流(ID) = -4.2 A
- 栅源电压(VGS) = -2.5 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 100 mΩ
- 栅源电压(VGS) = -4.5 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 74 mΩ
- 栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 59 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 表面贴装封装
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 负载开关
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 电源管理