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W25N50
耐压:500V 电流:25A
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- 描述
- W25N50是一款高压功率MOSFET，其设计具备更优特性，如开关时间快、栅极电荷低、导通电阻低，且具有高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- W25N50
- 商品编号
- C7528260
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.971667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 219W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 12.5A条件下,RDS(ON) ≤ 0.27Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力,高抗扰性
应用领域
-开关电源-适配器
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