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IRL530NPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:17A
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- 描述
- N沟道,100V,17A,100mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRL530NPBF
- 商品编号
- C85005
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第五代 HEXFET 采用先进的工艺技术，实现了极低的单位硅面积导通电阻。这一优势，再结合 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
商品特性
- 逻辑电平栅极驱动
- 先进的工艺技术
- 动态 dv/dt 额定值
- 175°C 工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 无铅规格