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RQ1C075UNTR
1个N沟道 耐压:20V 电流:7.5A
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- 描述
- N沟道,20V,±7.5A,11mΩ@4.5V
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ1C075UNTR
- 商品编号
- C84998
- 商品封装
- TSMT-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 1.5V驱动
- 内置栅源（G-S）保护二极管
- 小型表面贴装封装（TSMT8）
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用
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