GBU810
电压:1kV 电流:8A
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描述
这款GBU封装的高耐压整流桥半导体器件，专为大电流、高效能应用场景设计。其核心参数包括VR最高耐受电压1000V，确保在严苛高压条件下仍能保持稳定运行；VF特性表现为1.1V@8A，在满载8A电流下仍维持较低电压降，显著提升电源转换效率并降低能耗；额定输出电流IO高达8A，提供强大且持久的电力处理能力。广泛应用于各类高端电源系统、逆变器及其他需要大电流处理的电子设备中，是提升整体性能与可靠性的优质之选。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
GBU810商品编号
C7507379商品封装
GBU包装方式
盒装
商品毛重
4.170541克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 整流桥 | |
| 正向压降(Vf) | 1.1V@8A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 1kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 8A | |
| 正向浪涌电流(Ifsm) | 200A |
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