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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 225A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 158W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.085nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 163pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AGM12N10D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 额定温度达+175°C,适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
- 散热效率高的封装,使应用运行更凉爽
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON),将导通状态损耗降至最低
- 封装高度小于1.1mm,适用于轻薄型应用
- 无铅镀层,符合RoHS标准
- 无卤和无锑,为“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
- 发动机管理系统
- 车身控制电子设备
- DC-DC转换器