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TSK50N50M
1个N沟道 耐压:500V 电流:50A
- 描述
- 特性：该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术，此技术可最小化导通电阻，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 50A，500V，最大RDS(on)=0.11Ω @VGS=10V。 低栅极电荷。 高耐用性。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSK50N50M
- 商品编号
- C7503091
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.186667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 290W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.349nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 658pF |
商品特性
- 这款功率MOSFET采用东微半导体（Truesemi）先进的平面条纹DMOS技术制造。
- 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
- 50A、500V，最大导通电阻RDS(on)=0.11Ω（VGS = 10V时）
- 栅极电荷低
- 坚固性高
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准的器件
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