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EPC2252
增强型功率晶体管，采用氮化镓技术，具有高电子迁移率、低导通电阻、低栅极电荷和零反向恢复电荷等特性，适用于高频开关应用
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- 品牌名称
- EPC
- 商品型号
- EPC2252
- 商品编号
- C7502581
- 商品封装
- CSP-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 96V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ |
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