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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
60R420是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，还具备低开关损耗特性。
商品特性
- 隔离衬底
- 高隔离电压(>2500V)
- 出色的热传递性能
- 增强的温度和功率循环能力
- IXYS先进的低Qg工艺
- 低栅极电荷和电容
- 更易于驱动
- 更快的开关速度
- 低导通电阻RDS(on)
- 极低的插入电感(<2nH)
- 无氧化铍(BeO)或其他有害物质
应用领域
- 具有功率因数校正（PFC）、反激和LLC拓扑的开关电源（SMPS）
- 银牌ATX电源、适配器、电视、照明、服务器电源
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