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YFW2N65AMJ
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
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- 描述
- N沟MOS管
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW2N65AMJ
- 商品编号
- C7499439
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.9575克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 39pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V
- 导通电阻（RDS(ON)） < 47 mΩ（栅源电压VGS = 5 V）
- 专为5V栅极驱动优化设计
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载流子器件
- 可直接由CMOS、NMOS和TTL电路驱动
应用领域
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)
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