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12N65KL-MTTO
12A、650V N沟道功率MOSFET
- 描述
- N- 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用专有平面条纹和 DMOS 技术生产。适用于高效开关模式电源。为了最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并承受雪崩和换向模式下的高能脉冲，对先进技术进行了特别调整。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 12N65KL-MTTO
- 商品编号
- C7494903
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4738克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.126nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
UTC 12N65K-MT 是 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用 UTC 专有的平面条形和 DMOS 技术制造。 这些器件适用于高效开关模式电源。为了最小化导通电阻、提供卓越的开关性能并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲，该先进技术经过了特别定制。
商品特性
- 在 VGS = 10V、ID = 6.0A 时,RDS(ON) ≤ 0.7Ω
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了 dv/dt 能力,具有高耐用性