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7N65实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

7N65

1个N沟道 耐压:650V 电流:7A

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描述
这款消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装,拥有高达650V的击穿电压和7A连续电流承载能力,适用于高电压、大电流电子设备的电源转换与开关控制应用。卓越性能,满足严苛电路需求。
商品型号
7N65
商品编号
C7472822
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.385克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))1.4Ω@10V,3.5A
耗散功率(Pd)35W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)24nC@10V
输入电容(Ciss)1.13nF@25V
反向传输电容(Crss)5.5pF@25V
工作温度-45℃~+125℃

数据手册PDF