温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LMG3526R030RQSR
集成了驱动器、保护与温度报告功能的650V 30mΩ GaN FET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 带集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET – 集成高精度栅极偏置电压 – 200V/ns FET 释抑 2MHz 开关频率 20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能与缓解 EMI – 由 7.5V 至 18V 电源供电 强大的保护 响应时间 < 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护 – 硬开关时可承受 720V 浪涌 – 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护 高级电源管理 – 数字温度 PWM 输出 – LMG3526R030 包括有助于实现软开关转换器的零电压检测功能 (ZVD) LMG3527R030 包括有助于实现软开关转换器的零电流检测功能（ZCD） 顶部冷却 12mm x 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现超低的电源环路电感
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LMG3526R030RQSR
- 商品编号
- C7471770
- 商品封装
- VQFN-52
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 最大连续电流 | 38A | |
| 工作电压 | 7.5V~18V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻 | 26mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 特性 | 过热保护(OTP)；短路保护(SCP)；过流保护(OCP)；欠压保护(UVP) |
商品概述
带集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET – 集成高精度栅极偏置电压 – 200V/ns FET 释抑 2MHz 开关频率 20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能与缓解 EMI – 由 7.5V 至 18V 电源供电
强大的保护
响应时间 < 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护 – 硬开关时可承受 720V 浪涌 – 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
高级电源管理
– 数字温度 PWM 输出 – LMG3526R030 包括有助于实现软开关转换器的零电压检测功能 (ZVD) LMG3527R030 包括有助于实现软开关转换器的零电流检测功能（ZCD）
顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现超低的电源环路电感
商品特性
- 集成高精度栅极偏置电压
- 200V/ns FET 释抑
- 2MHz 开关频率
- 20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能与缓解 EMI
- 由 7.5V 至 18V 电源供电
- 响应时间 < 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护
- 硬开关时可承受 720V 浪涌
- 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
- 数字温度 PWM 输出
- LMG3526R030 包括有助于实现软开关转换器的零电压检测功能 (ZVD)
- LMG3527R030 包括有助于实现软开关转换器的零电流检测功能（ZCD）
- 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现超低的电源环路电感
应用领域
- 开关模式电源转换器
- 商用网络和服务器 PSU
- 商用通信电源整流器
- 光伏逆变器和工业电机驱动器
- 不间断电源