NV6115-RA

这款GaNFast功率IC针对高频软开关拓扑进行了优化。 FET、驱动器和逻辑的单片集成打造出易于使用的“数字输入、功率输出”高性能动力总成构建模块，使设计人员能够打造出最快、最小、最高效的电源转换器。 最高的dV/dt抗扰度、高速集成驱动器以及行业标准的薄型、低电感5×6 mm SMT QFN封装，让设计人员能够利用纳微半导体（Navitas）的氮化镓（GaN）技术，通过简单、快速、可靠的解决方案实现突破性的功率密度和效率。 GaNFast功率IC将反激、半桥、谐振等传统拓扑的性能提升至兆赫兹以上，并推动突破性设计实现商业化应用。

• 单片集成栅极驱动器
• 带迟滞的宽逻辑输入范围
• 兼容5 V / 15 V输入
• 宽VCC范围（10至30 V）
• 可编程导通dV/dt
• 200 V/ns dV/dt抗扰度
• 800 V瞬态电压额定值
• 650 V连续电压额定值
• 低至170 mΩ电阻
• 零反向恢复电荷
• ESD保护 - 2 kV（HBM），1 kV（CDM）
• 2 MHz工作频率
• 小型薄型SMT QFN封装
• 6×8 mm占位面积，0.85 mm厚度
• 最小化封装电感
• 符合RoHS、无铅、REACH标准
• 与硅解决方案相比，节能高达40%
• 系统级减少4kg二氧化碳碳足迹

• AC-DC、DC-DC、DC-AC
• QR反激、PFC、AHB、降压、升压、半桥、全桥、LLC谐振、D类
• 无线充电、太阳能微型逆变器、LED照明、电视开关电源、服务器、电信