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CMD516
1个N沟道 耐压:30V 电流:46A
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- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD516
- 商品编号
- C7470618
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
65R280Q是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 充电器-适配器-电源