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IRFP450-HXY实物图
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IRFP450-HXY

N沟道 500V 14A

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描述
本款工业级N沟道MOSFET采用TO-247S封装,具有500V高耐压及14A大电流承载能力,适用于高压电源转换、电机驱动等应用场合,提供高效能开关控制与卓越的功率管理解决方案。
商品型号
IRFP450-HXY
商品编号
C7469135
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
6.159551克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on))430mΩ@10V
耗散功率(Pd)190W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)150nC@10V
输入电容(Ciss)2.6nF
反向传输电容(Crss)340pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)720pF

数据手册PDF