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IHW20N135R5F
FSIGBT，1350V、20A、1.7V
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- 描述
- 特性：提供高达1350V的高击穿电压，提高可靠性。 强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。 参数分布非常紧密。 高耐用性，温度稳定性好。 低VCEsat。 由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。应用：感应烹饪。 逆变微波炉
- 品牌名称
- FUXINSEMI(富芯森美)
- 商品型号
- IHW20N135R5F
- 商品编号
- C7467022
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.253333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.35kV | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W | |
| 输出电容(Coes) | 95pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 60A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.85V@20A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.8V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 175nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 1.781nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 204ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.02mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.02mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 57pF |
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