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TLE9180D31QKXUMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TLE9180D31QKXUMA1

用于低RDSON N沟道FET的高功率三相桥驱动器IC,具备扩展保护和监控功能,兼容3.3V μC和TTL逻辑

商品型号
TLE9180D31QKXUMA1
商品编号
C7466791
商品封装
LQFP-64-EP(10x10)​
包装方式
编带
商品毛重
0.56克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数6
灌电流(IOL)1A
拉电流(IOH)1A
工作电压5.5V~60V
上升时间(tr)-
下降时间(tf)-
属性参数值
传播延迟 tpLH-
传播延迟 tpHL-
特性欠压保护(UVP);过热保护(OTP);过压保护(OVP)
工作温度-40℃~+150℃
输入高电平(VIH)-
输入低电平(VIL)-
静态电流(Iq)-
功能特性使能关断;交错导通保护;死区时间控制

商品概述

TLE9180D - 31QK是一款先进的栅极驱动IC,专门用于控制6个外部N沟道MOSFET,形成一个逆变器,适用于汽车领域的高电流三相电机驱动应用。先进的高压技术使TLE9180D - 31QK能够支持12V、24V和48V电池电压的单电池和混合电池系统应用,即使在恶劣的汽车环境中,结合高电机电流也能正常工作。因此,桥接、电机和电源相关引脚可以承受高达90V的电压。电机相关引脚甚至可以承受低至 - 15V的负电压瞬变而不会损坏。所有低侧和高侧输出级均基于浮动概念,其驱动能力可以驱动市场上常见的低RDSON MOSFET。在12V应用中,栅极驱动IC能够以高达20kHz的频率驱动6个MOSFET,每个MOSFET的最大总栅极电荷QgTOT = 300nC。集成的SPI接口用于在上电后为应用配置TLE9180D - 31QK。上电成功后,可以通过SPI调整参数,读取监控数据、配置和错误寄存器。数据和地址位的循环冗余校验确保了安全通信和数据完整性。可以使用3个集成的电流检测放大器测量与地相关的桥接电流。电流检测放大器的输出支持5V ADC,并且其坚固的输入可以承受低至 - 10V的负瞬变而不会损坏。增益和零电流电压偏移可以通过SPI进行调整,偏移可以进行校准。近年来,汽车驱动应用中的诊断覆盖范围和冗余性不断提高。因此,TLE9180D - 31QK提供了广泛的诊断功能,如监控电源电压以及系统参数。集成了安全相关监控功能的可测试性。设备监控的故障行为、阈值电压和滤波时间可以通过SPI进行调整。TLE9180D - 31QK采用带有外露焊盘的LQFP64封装。由于其外露焊盘,栅极驱动IC具有出色的热特性。

商品特性

  • 适用于低RDSON N沟道FET的高功率三相桥接驱动器
  • 0...100%占空比,可无限制调节
  • 规定的电源电压范围为5.5V至60V
  • 逻辑操作可低至3V电源电压
  • 电机连接引脚具有 - 15V至90V的高鲁棒性
  • 扩展的保护和监控功能
  • 串行外设接口(SPI),用于监控控制
  • 通过SPI读取监控信息
  • 用于温度检测的外部FET反向二极管测量
  • 具有SPI可配置内容的诊断和故障行为跛行回家功能
  • 3个用于分流信号调理的电流检测放大器
  • 通过引脚ENA和SOFF实现2个关断路径
  • 通过引脚INH实现低静态电流模式
  • 与3.3V微控制器和TTL逻辑兼容
  • 具有SPI可编程电压阈值的相电压反馈
  • 用于相切断电路激活的输出
  • 绿色产品(符合RoHS标准)

应用领域

  • 汽车三相电机驱动

数据手册PDF