ADL8121ACPZN
ADL8121 GaAs pHEMT MMIC 低噪声放大器 0.025 GHz至12 GHz
- 描述
- ADL8121 是一款基于砷化镓 (GaAs) 的单片微波集成电路 (MMIC),伪高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器,工作频率范围为 0.025 GHz 至 12 GHz。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- ADL8121ACPZN
- 商品编号
- C7457145
- 商品封装
- LFCSP-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | 25MHz~12GHz | |
| 增益 | 17dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 噪声系数 | 3.5dB | |
| 工作电压 | 5V | |
| 工作电流 | 95mA |
商品概述
ADL8121是一款砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC),采用赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)技术的低噪声宽带放大器,工作频率范围为0.025 GHz至12 GHz。 在0.025 GHz至10 GHz频率范围内,ADL8121的典型增益为16.5 dB,典型噪声系数为2.5 dB,典型输出三阶交调截点(OIP3)为36 dBm,仅需5 V电源电压提供95 mA电流。在0.025 GHz至10 GHz频率范围内,其典型饱和输出功率(P_SAT)为21.5 dBm,这使得该低噪声放大器(LNA)可作为许多亚德诺半导体(Analog Devices)平衡、同相和正交(I/Q)或镜像抑制混频器的本地振荡器(LO)驱动器。 ADL8121还具备内部匹配至50 Ω的输入和输出,非常适合基于表面贴装技术(SMT)的应用,并且采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm、6引脚LFCSP封装。
商品特性
- 低噪声系数:在0.025 GHz至10 GHz范围内典型值为2.5 dB
- 单正电源(自偏置)
- 高增益:在0.025 GHz至10 GHz范围内典型值为16.5 dB
- 高OIP3:在0.025 GHz至10 GHz范围内典型值为36 dBm
- 符合RoHS标准的2 mm × 2 mm、6引脚LFCSP封装
应用领域
- 测试仪器
- 电信
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