LTC1982ES6#TRM
商品参数
参数完善中
商品概述
LTC1981/LTC1982是低功耗、独立式N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器可在不使用任何外部元件的情况下驱动栅极。一旦栅极充电完成，内部调节电路可使每个驱动器的静态电流降至10µA（LTC1981为20µA）。 低静态电流和低关断电流（低于1µA）使这些器件非常适合电池供电和其他功率受限的系统。较宽的输入电压范围可适应各种电池/输入配置。 栅极驱动内部钳位至7.5V，为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可在高端或低端模式下驱动。 单驱动器版本的LTC1981还设有一个栅极驱动就绪引脚，其驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。 LTC1981采用5引脚SOT - 23封装，LTC1982采用6引脚SOT - 23封装。
商品特性
- 无需外部元件
- 内部电压三倍器为逻辑电平FET提供高端栅极驱动
- 超低功耗：每个驱动器导通电流为10μA（LTC1982），导通电流为2μA（LTC1981），关断电流<1μA
- VCC范围：1.8至5V
- 关断期间栅极驱动输出接地
- 栅极驱动输出内部钳位至最大7.5V
- “栅极驱动就绪”输出（LTC1981）
- 超小型应用电路
- 5引脚SOT - 23封装（LTC1981）
- 6引脚SOT - 23封装（LTC1982）
应用领域
- 蜂窝电话
- 便携式销售点终端
- 手持式电池供电设备