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LTC4372IDD#PBF实物图
  • LTC4372IDD#PBF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LTC4372IDD#PBF

低静态电流理想二极管控制器

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描述
LTC4372/LTC4373 是正高压理想二极管控制器,可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它们控制 MOSFET 两端的正向压降,即使在轻载情况下也能确保电流输送或从一条路径转移到另一条路径。5µA 的工作电流可为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现高效率
品牌名称
ADI(亚德诺)
商品型号
LTC4372IDD#PBF
商品编号
C7455810
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
管装
商品毛重
0.141175克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录功率电子开关
类型理想二极管
通道数1
属性参数值
最大连续电流10uA
工作电压2.5V~80V
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

LTC4372/LTC4373是正向高压理想二极管控制器,可驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。它们控制MOSFET两端的正向压降,确保即使在轻载情况下也能实现电流输送或从一条路径到另一条路径的电流转移。 5µA的工作电流可为间歇性负载应用或常通备用电源实现高效率。如果电源发生故障或短路,快速关断功能可将反向电流瞬变降至最低。LTC4372/LTC4373控制背对背N沟道MOSFET,以实现浪涌电流控制和负载开关。 LTC4372的SHDN引脚可使MOSFET关断,并将静态电流降至3.5µA。LTC4373具有用于欠压监测的UV引脚,而UVOUT引脚可提供迟滞调节和状态信息。在欠压期间,背对背MOSFET会被切断,静态电流降至0.5µA。

商品特性

  • 通过取代功率肖特基二极管降低功耗
  • 低静态电流:工作时为5µA
  • 宽工作电压范围:2.5V至80V
  • 反向电源保护至 -28V
  • 无需TVS输入钳位
  • 高端外部N沟道MOSFET驱动
  • 驱动背对背MOSFET以实现浪涌控制和负载开关
  • 用于开/关控制的关断输入
  • 在1.5µs内快速关断反向电流
  • 8引脚MSOP和3mm × 3mm DFN封装

应用领域

  • 汽车电池保护
  • 冗余电源
  • 便携式仪器
  • 太阳能供电系统
  • 能量收集应用
  • 电源保持

数据手册PDF

优惠活动

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(121个/管,最小起订量 1 个)
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