NDS8435A-NL-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单通道功率场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中,其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8;P—Channel沟道,-30V;-9A;RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NDS8435A-NL-VB
- 商品编号
- C7442627
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1162克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V;24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.455nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
40N02是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 40N02符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过EAS测试,具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 负载开关
- 电池开关
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