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BL3N150-B
1个N沟道 耐压:1500V 电流:3A
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- 描述
- BL3N150是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源（SMPS）、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- BL(上海贝岭)
- 商品型号
- BL3N150-B
- 商品编号
- C7436531
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.0555克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 快速开关
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
-高频开关模式电源