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CJU30P10A
1个P沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- CJU30P10A采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下仍能提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于各种应用场景。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJU30P10A
- 商品编号
- C7435394
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.765nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 136pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
2N65M / A G 硅 N 沟道增强型 VDMOS 场效应晶体管采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为 TO - 252，符合 RoHS 标准。
商品特性
-先进的沟槽工艺技术-可靠耐用-高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
-笔记本电脑的电源管理-便携式设备和电池供电系统