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CJU30P10A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJU30P10A

1个P沟道 耐压:100V 电流:30A

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描述
CJU30P10A采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下仍能提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于各种应用场景。
商品型号
CJU30P10A
商品编号
C7435394
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.44克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))52mΩ@4.5V,15A
属性参数值
耗散功率(Pd)89W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
输入电容(Ciss)3.765nF@20V
反向传输电容(Crss)136pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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