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MMBT3904M

NPN 电流:200mA 电压:40V

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描述
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):100mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V NPN,Vceo=40V,Ic=0.2A
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
MMBT3904M
商品编号
C7434274
商品封装
SOT-723​
包装方式
编带
商品毛重
0.011575克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)100mW
直流电流增益(hFE)100@10mA,1V
属性参数值
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@50mA,5mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V

数据手册PDF

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